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高迁移率有源矩阵TFT技术开发
在显示器件中，几百万个微米级的薄膜晶体管开关(TFT)组成矩阵，控制每一个像素的明暗。为了实现未来显示的柔性化、高分辨率、高刷新率、低功耗等特点，TFT需具有高迁移率、耐弯曲的性能。
本项目研发具有极高的迁移率(50-100cm2/Vs)且具有柔性化能力的二维材料（如InSe、MoS2），被认为是未来高性能柔性电子器件的必备材料。该项目的技术特点为材料具有高迁移率＞10cm2/Vs，是无定型硅的500-1000倍；超薄，只有1-3纳米厚，是无定形硅的1/100-1/500；柔性，可随意折叠、卷曲，可进行卷对卷连续生产。
